NMOS3400管的主要作用是什么？

　　1.場效應(yīng)管可以應(yīng)用于放大。由于場效應(yīng)管放大器的輸入阻抗高，耦合電容器可能容量小，不需要使用電解電容器。

　　2.場效應(yīng)管的高輸入阻抗非常適合阻抗變換。多電平放大器的輸入級常用于阻抗轉(zhuǎn)換。

　　場效應(yīng)管可以用作可變電阻。

　　場效應(yīng)管作為恒流源很容易使用。

　　場效應(yīng)管可以用作電子開關(guān)。

　　NMOS3400管其特點(diǎn)如下：

　　(1)場效應(yīng)管是通過柵極源電壓(VGS)控制泄漏電流(ID)的電壓控制裝置。

　　(2)場效應(yīng)管的輸入端電流很小，因此輸入電阻很大。

　　(3)它利用大部分載流子導(dǎo)電，因此它的溫度穩(wěn)定性較好。

　　(4)配置放大電路的電壓放大系數(shù)小于晶體管配置放大電路的電壓放大系數(shù)。

　　(5)場效應(yīng)管的輻射防護(hù)能力強(qiáng)。

　　(6)沒有雜亂運(yùn)動的消磁擴(kuò)散引起的散射噪音低。

　　NMOS3400管的主要參數(shù)是什么？

　　直流參數(shù)

　　飽和漏電流IDSS可以定義為當(dāng)柵極、源極之間的電壓為零、漏極、源極之間的電壓大于鉗形截止電壓時(shí)的相應(yīng)漏電流。

　　鉗位電壓UP可以定義為UDS在一段時(shí)間內(nèi)將ID減少到小電流所需的UGS。

　　電壓UT打開UDS可以定義為在一段時(shí)間內(nèi)使ID達(dá)到值所需的UGS。

　　交流參數(shù)

　　低頻交叉GM有控制柵極、源電壓泄漏電流的作用。

　　極間容量場效應(yīng)管中三個電極之間的容量(容量)值越小，表示管道的性能越好。

　　極限參數(shù)

　　泄漏、源擊穿電壓泄漏極電流急劇上升時(shí)，雪崩被破壞時(shí)會發(fā)生UDS。

　　當(dāng)柵極擊穿電壓接合場效應(yīng)管正常工作時(shí)，柵極和源極之間的PN連接處于反向偏置狀態(tài)，電流過高時(shí)會出現(xiàn)擊穿現(xiàn)象。

　　產(chǎn)品特性

　　(1)傳輸特性：柵極電壓對漏電流的控制作用稱為傳輸特性。

　　(2)輸出特性：UDS和ID的關(guān)系稱為輸出特性。

　　(3)結(jié)型場效應(yīng)管的放大：結(jié)型場效應(yīng)管的放大作用一般指電壓放大。

　　NMOS3400管的的電氣特性是什么？

　　場效應(yīng)管和晶體管電氣特性的主要區(qū)別如下：

　　貼片場效應(yīng)晶體管

　　1:場效應(yīng)管是電壓控制裝置，管的導(dǎo)電性取決于柵極電壓的高低。晶體管是電流控制裝置，管道的導(dǎo)電性取決于基流的大小。2:場效應(yīng)管泄漏源靜態(tài)伏安特性以柵極電壓UGS為基準(zhǔn)變量，晶體管輸出特性曲線以基極電流Ib為基準(zhǔn)變量。

　　3:場效應(yīng)管電流IDS和柵極UGS之間的關(guān)系由跨導(dǎo)Gm確定，晶體管電流Ic和Ib之間的關(guān)系由放大系數(shù)確定。也就是說，場效應(yīng)管的放大能力以Gm測量，晶體管的放大能力以測量。4:場效應(yīng)管的輸入阻抗很大，輸入電流很小。晶體管輸入阻抗很小，導(dǎo)電時(shí)輸入電流很大。

　　5:一般場效應(yīng)晶體管功率小，晶體管功率大。