NMOS3400管也叫場效應(yīng)晶體管，稱為場效應(yīng)晶體管。有兩種主要類型和金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管。大部分載流子參與傳導(dǎo)，也稱為單極晶體管。屬于電壓控制半導(dǎo)體裝置。憑借高輸入阻力(10 8 ~ 10 9)、小噪音、低功耗、動態(tài)范圍、輕松集成、無二次破壞、安全工作區(qū)寬度等優(yōu)點，成為雙極晶體管和功率晶體管的有力競爭對手。

　　NMOS3400管半導(dǎo)體器件，使用控制輸入電路的電場效應(yīng)來控制輸出電路的電流，并對其命名。

　　NMOS3400管也稱為單極晶體管，因為它只依靠半導(dǎo)體的大部分載流子傳導(dǎo)。

　　FET英語簡稱FET為Field  Effect  Transistor，簡稱FET。

　　場效應(yīng)管[2]是屬于電壓控制半導(dǎo)體器件的典型電子元件。具有輸入電阻高(10 8 ~ 10 9)、噪音小、功耗低、動態(tài)范圍大、易于集成、無二次破壞現(xiàn)象、安全工作區(qū)寬度等優(yōu)點。

　　NMOS3400管的工作原理是什么?

　　NMOS3400管的工作原理用一句話來說就是“通過漏極-源極之間的溝的ID，由文極和溝之間的pn結(jié)形成的半偏轉(zhuǎn)文極電壓控制ID。”更確切地說，ID通過通路的寬度，即溝截面積，這也是為什么PN結(jié)逆偏轉(zhuǎn)的變化會導(dǎo)致消耗層擴張變化控制。在VGS=0的不飽和區(qū)域中，過渡層的擴展不是很大，因此，根據(jù)漏極-源極之間添加的VDS的電場，源極區(qū)域中的部分電子會漏出來，流入源極作為電流ID。從門極延伸到泄漏極的疊加語使溝的一部分處于阻塞型、ID飽和狀態(tài)。這種狀態(tài)稱為剪輯。也就是說，過渡層并沒有阻擋溝渠的一部分，電流被切斷。

　　在過渡層，由于沒有電子或孔的自由移動，在理想狀態(tài)下幾乎具有絕緣特性，一般來說電流也很難流動。但是此時，泄漏-源極之間的電場實際上位于兩個過渡層接觸泄漏極和門極下方附近，因為漂移電場吸引的高速電子通過過渡層。漂移電場的強度幾乎沒有變化，因此會出現(xiàn)ID飽和現(xiàn)象。其次，VGS向負(fù)方向變化，VGS=VGS(關(guān)閉)，過渡層通常復(fù)蓋整個區(qū)域。此外，VDS中的電場大部分被添加到過渡層中，是將電子向漂移方向吸引的電場，只有接近遠(yuǎn)極的短部分，使電流無法流動。在輸入阻抗高的情況下使用時，需要采取防潮措施，以防止溫度影響降低場效應(yīng)管的輸入電阻。使用四引線場效應(yīng)管時，基板引線需要接地。陶瓷封裝的芝麻管具有光敏特性，要注意避光。

　　對于功率型場效應(yīng)管，應(yīng)具備良好的冷卻條件。電力型場效應(yīng)管在高負(fù)載條件下工作，因此需要設(shè)計足夠的散熱器，使外殼溫度不超過額定，確保部件長期穩(wěn)定可靠地工作。

　　總之，為了保證場效應(yīng)管的安全使用，需要注意的事項多種多樣，采取的安全措施也多種多樣，廣大專業(yè)技術(shù)人員，特別是廣大電子愛好者都要根據(jù)自己的實際情況出發(fā)，采取切實可行的方法，安全有效地使用場效應(yīng)管。