NMOS3400管是電子工程師必須掌握的零部件，在實(shí)際應(yīng)用中也比較常見(jiàn)。那么，我將在下面詳細(xì)介紹一下對(duì)MOS  了解多少。

　　什么是NMOS3400管？

　　MOS管是金屬(METAL)-氧化物(Oxide)-半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管或金屬-絕緣體(Insulator)-半導(dǎo)體。MOS管中的source和drain都是P型backgate形成的N型區(qū)域。在大多數(shù)情況下，這兩個(gè)區(qū)域是相同的。兩端互相接觸對(duì)設(shè)備性能沒(méi)有影響。這些設(shè)備被認(rèn)為是對(duì)稱(chēng)的。

　　陽(yáng)極型晶體管放大輸入端電流的微小變化，然后在輸出端輸出較大的電流變化。雙極晶體管的增益被定義為輸出輸入電流的比率()。另一個(gè)晶體管稱(chēng)為場(chǎng)效應(yīng)管(FET)，將輸入電壓的變化轉(zhuǎn)換為輸出電流的變化。FET的增益等于它的transconductance，被定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化的比率。市面上常見(jiàn)的是N溝和P溝，P溝是低壓MOS管道。

　　場(chǎng)效應(yīng)管將電場(chǎng)投影到絕緣層上，影響通過(guò)晶體管的電流。事實(shí)上，由于沒(méi)有電流通過(guò)這個(gè)絕緣體，F(xiàn)ET管的GATE電流非常小。最常見(jiàn)的FET是GATE極下的絕緣體，使用薄硅。該晶體管稱(chēng)為金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)晶體管或金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)。MOS管更小，更節(jié)能，因此在多個(gè)應(yīng)用程序中取代了雙極晶體管。

　　NMOS3400管的優(yōu)點(diǎn)是什么？

　　適用于放大。由于場(chǎng)效應(yīng)管放大器的輸入阻抗高，耦合可能容量小。電解電容高的輸入阻抗適用于阻抗轉(zhuǎn)換。多級(jí)放大器常用的輸入級(jí)容易用作可變電阻，容易用作恒流源。電路設(shè)計(jì)中電子開(kāi)關(guān)的靈活性高，柵極偏置可以為正、負(fù)，晶體管只能在正偏置下工作，電子管只能在負(fù)偏置下工作。另外，輸入阻抗高，可以減少信號(hào)源負(fù)載，便于前方匹配

　　NMOS3400管的測(cè)試階段是什么？

　　MOS管道的檢測(cè)主要是判斷MOS管道的漏電、短路、開(kāi)放、擴(kuò)大。如果未測(cè)試電阻值，則MOS管中有漏電現(xiàn)象。具體步驟如下：

　　連接門(mén)和源極之間的電阻移開(kāi)，多米紅色黑色筆不變，清除電阻后，表針慢慢返回高電阻或無(wú)窮大，莫爾斯管泄漏，保持不變。然后導(dǎo)體將MOS管的柵極連接到源極。指針立即返回?zé)o限遠(yuǎn)時(shí)，MOS保持不變。

　　將紅色的筆連接到MOS的源極S，黑色的筆連接到MOS管的泄漏，表示好的表針應(yīng)該是無(wú)限的。

　　用100K  Omega-200K  Omega電阻連接大門(mén)和泄漏極，然后把紅色的筆連接到MOS的源S，把黑色的筆連接到MOS管的泄漏極。這時(shí)時(shí)針表示的值通常為0。在這種情況下，帶電通過(guò)該阻力給MOS管的網(wǎng)格充電，從而產(chǎn)生柵極電場(chǎng)