NMOS3400管的應用領域是什么？

　　NMOS3400管產業(yè)領域，步進電機驅動，鉆孔工具，產業(yè)開關電源新能源領域，光伏逆變器，充電文件，無人機運輸領域，車輛逆變器，汽車HID穩(wěn)定器，電動自行車綠色照明領域，CCFL節(jié)能燈，LED照明電源，金屬鹵化物燈穩(wěn)定器。

　　與雙極晶體管相比，MOS管驅動通常被認為通過不需要MOS管的電流，GS電壓高于一定值即可。這很容易做到，但我們仍然需要速度。從MOS管的結構可以看出，GS、GD之間有寄生電容，MOS管的驅動理論上是給電容充電。電容的充電需要電流。充電電容的瞬間可以把電容看作短路，所以瞬間電流會更大。選擇/設計MOS管驅動器時，首先要注意的是能夠提供瞬間短路電流的大小。其次，通常用于驅動NMOS，誘導時柵極電壓必須大于源極電壓。驅動MOS管的源極電壓與泄漏電壓(VCC)相同，因此柵極電壓比VCC大4V或10V。假設要在同一系統(tǒng)中獲得比VCC更大的電壓，需要特別的升壓電路。許多電動機驅動器都集成了電荷泵。請注意，為了獲得足夠的短路電流來驅動MOS管道，必須選擇適當的外部電容器。上述4V或10V是常用MOS管道的傳導電壓，設計時當然需要一些余量。而且，電壓越高，傳導速度越快，傳導阻力也越小。平時傳導電壓更小的MOS在很多領域工作，但在12V汽車電子系統(tǒng)中，普通的4V桶就足夠了。

　　NMOS3400管的主要參數如下：

　　1.柵極源擊穿電壓BVGS-當柵極源電壓增加時，柵極電流IG從零開始猛增時，VGS被稱為柵極源擊穿電壓BVGS。

　　2.開電壓VT-開電壓(也稱為閾值電壓):啟動在源極S和泄漏D之間配置導電溝所需的柵極電壓。-標準N通道Moss管，VT約3 ~ 6v-改善將MOS管的VT值降低到2 ~ 3v的過程。

　　3.泄漏源屈服電壓BVDS- VGS=0(強化)條件下，在增加泄漏源電壓的同時，ID猛增的VDS，泄漏源屈服電壓BVDS-ID猛增的原因有兩個：

　　(1)泄漏極左側近枯竭層雪崩破壞

　　(2)泄漏源極間穿透-在某些MOS管中，通道長度短，隨著VDS的增加，漏水區(qū)域的貧化層有時會延伸到源區(qū)域，因此通道長度為零。也就是說，泄漏源之間發(fā)生通過，通過后，源區(qū)域的大部分載流子將直接承受枯竭層電場的吸收，到達泄漏區(qū)域。直流輸入電阻RGS，即澆口源極之間添加的電壓與澆口電流的比率-此特性有時表示為通過澆口的澆口流。-MOS管的RGS很容易超過1010。

　　低頻跨導gm- VDS是一定的數字時，引起這種變化的柵極源電壓微變量的比率稱為跨導-gm。柵極源電壓反映了對泄漏電流的控制能力。這是指示MOS管放大功能的重要參數。通常在幾mA/V的范圍內。