PMOS3401晶體管主要分為雙極晶體管(BJT)和場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)兩類。PMOS3401晶體管有三個(gè)極：雙極晶體管的三個(gè)極，分別是由N型和P型組成的發(fā)射極、基座和收集器。場(chǎng)效應(yīng)晶體管的三個(gè)磁極分別是源、柵極和漏極。

　　PMOS3401晶體管有三種極性，因此可以通過三種方式使用：發(fā)射極接地(擴(kuò)大施工，也稱為CE配置)、基座接地(擴(kuò)大空域，也稱為CB配置)、集電極接地(擴(kuò)大共軛，CC配置，也稱為發(fā)射極合規(guī)裝置)。

　　從雙極晶體管到歷史劇和基極的極小電流在發(fā)射極和集電極之間產(chǎn)生大電流。在場(chǎng)效應(yīng)晶體管中，對(duì)柵極施加小電壓以控制源極和排放極之間的電流。

　　在模擬電路中，晶體管用于放大器、音頻放大器、射頻放大器和穩(wěn)壓電路。在計(jì)算機(jī)電源上，主要用于通電。

　　晶體管也適用于數(shù)字電路，主要功能是用作電子開關(guān)。數(shù)字電路包括邏輯門、隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)和微處理器。

　　晶體管有許多最大額定值需要注意使用，如最大電壓、最大電流和最大功率。在過剩狀態(tài)下使用會(huì)破壞晶體管內(nèi)部的結(jié)構(gòu)。每個(gè)型號(hào)的晶體管都有獨(dú)特的功能，如直流比例hfe、NF噪聲比等，并通過晶體管規(guī)格表或數(shù)據(jù)表進(jìn)行說(shuō)明。

　　晶體管在電路中常用的用途應(yīng)該屬于信號(hào)放大，其次是阻抗匹配、信號(hào)轉(zhuǎn)換等，晶體管是電路中非常重要的元件，很多精密的零件主要由晶體管制成。

　　PMOS3401晶體管的主要參數(shù)是什么？

　　晶體管的主要參數(shù)包括電流放大系數(shù)、消耗力、頻率特性、集電極最大電流、最大反向壓力、反向電流等。

　　1直流電流放大系數(shù)

　　直流電流放大系數(shù)也稱為靜態(tài)電流放大系數(shù)或直流放大倍數(shù)，是晶體管集電極電流IC與基極電流IB在輸入靜態(tài)不變信號(hào)時(shí)的比率，通常以hFE或表示。

　　2交流電流放大系數(shù)

　　AC電流放大系數(shù)也稱為動(dòng)態(tài)電流放大系數(shù)或AC放大倍數(shù)，是AC狀態(tài)下晶體管集電極電流變化量IC與基極電流變化量IB的比率，通常用hfe或表示。

　　HFE或钚與差異有密切關(guān)系，兩個(gè)參數(shù)值在低頻上更接近，在高頻上有一些差異。

　　3消耗力

　　消耗功率也稱為集電極最大允許消耗功率PCM，是指晶體管參數(shù)變化不超過規(guī)定允許值時(shí)的最大集電極消耗功率。耗散功率與晶體管的最高允許合溫集電極最大電流有密切關(guān)系。使用晶體管時(shí)，實(shí)際功耗不能超過PCM值。否則，晶體管可能會(huì)因過載而損壞。

　　一般來(lái)說(shuō)，小功率PCM小于1W的晶體管稱為低功率晶體管，PCM小于1W的晶體管稱為中功率晶體管，PCM大于5W的晶體管稱為高功率晶體管。