PMOS3401指的是一種靠空穴的流動(dòng)來輸送電流的管道，該管道的全稱為ositive channel Metal Oxide Semiconductor，目前這種金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)的晶體管可以分為兩大類型，分別為N管道以及P管道，PMOS3401管道其晶體管在N型硅襯集中，還有兩個(gè)區(qū)域分別為漏極以及源極，兩極之間是不會(huì)通電的，源極如果有足夠的正電壓，其柵極下的N型硅表面會(huì)呈現(xiàn)出一個(gè)反程，成為漏極以及源極的連接管道，從而改變柵壓，進(jìn)而改變過程中的空穴密度，也能夠改變內(nèi)部的電阻，而這種PMOS3401管道則被稱之為坯溝管增強(qiáng)型產(chǎn)效應(yīng)晶體管。
       如果N型硅秤底表面沒有增加?xùn)艍海硪呀?jīng)存在了一個(gè)P型的反層溝道這時(shí)候，適當(dāng)?shù)奶砑右恍┢珘壕湍軌虼偈闺娮柽M(jìn)行調(diào)整，而這樣的效應(yīng)晶體則稱之為P溝道耗盡型場(chǎng)效應(yīng)晶體管，又被人家統(tǒng)稱為PMOS3401晶體管。 P溝道PMOS3401極晶體管的空穴遷移率比較低，因而管道的幾何尺寸以及工作電壓只在相等的條件之下，PMOS3401晶體管其它的要小于 N溝道的晶體管。除此之外PMOS3401的晶體管及電壓值一般比較高，要求要有較高的工作電壓及供電電源的電壓大小以及極性跟雙極型的晶體管是往往不兼容的。
        PMOS3401因邏輯擺幅大，充電放電過程長，加之器件跨導(dǎo)小，所以工作速度更低，在NMOS電路出現(xiàn)之后，多數(shù)已為NMOS電路所取代。只是，因PMOS3401電路工藝簡單，價(jià)格便宜，有些中規(guī)模和小規(guī)模數(shù)字控制電路仍采用PMOS電路技術(shù)。
        MOSFET共有三個(gè)腳，一般為G、D、S，通過G、S間加控制信號(hào)時(shí)可以改變D、S間的導(dǎo)通和截止。PMOS3401和NMOS在結(jié)構(gòu)上完全相像，所不同的是襯底和源漏的摻雜類型。簡單地說，NMOS是在P型硅的襯底上，通過選擇摻雜形成N型的摻雜區(qū)，作為NMOS的源漏區(qū)；PMOS是在N型硅的襯底上，通過選擇摻雜形成P型的摻雜區(qū)，作為PMOS3401的源漏區(qū)。